一種GaN異質(zhì)結(jié)縱向功率器件

(19)中華人民共和國國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局

(12)發(fā)明專利說明書

(10)申請(qǐng)公布號(hào)CN 108598163 A

(43)申請(qǐng)公布日2018.09.28

(21)申請(qǐng)?zhí)朇N201810455931.9

(22)申請(qǐng)日2018.05.14

(71)申請(qǐng)人電子科技大學(xué)

地址611731 四川省成都市高新西區(qū)西源大道2006號(hào)

(72)發(fā)明人周琦魏東鄧操董長(zhǎng)旭黃芃陳萬軍張波

(74)專利代理機(jī)構(gòu)成都點(diǎn)睛專利代理事務(wù)所(普通合伙)

代理人孫一峰

(51)Int.CI

權(quán)利要求說明書說明書幅圖(54)發(fā)明名稱

一種GaN異質(zhì)結(jié)縱向功率器件

(57)摘要

本發(fā)明公開了一種GaN異質(zhì)結(jié)縱向

功率器件。本發(fā)明通過利用二維空穴氣阻

擋源極電子通過縱向柵控溝道注入到二維

電子氣溝道，實(shí)現(xiàn)器件增強(qiáng)型，且利用高

遷移率的二維電子氣溝道從而使縱向器件

實(shí)現(xiàn)低導(dǎo)通電阻和大飽和電流；同時(shí)，浮

空P型GaN埋層在GaN漂移區(qū)引入反偏

PN結(jié)，該反偏PN結(jié)在承受反向耐壓時(shí)其